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【研究成果】原子膜半導体のスピン機能開拓に前進 −原子膜半導体MoS2中のスピン情報を取り出す際の障壁高さを1/10に低減−

掲載日:2021/02/09

 Sachin Gupta 工学研究科特定助教、白石誠司 同教授らの研究グループは、宮田耕充 東京都立大学大学准教授らと共同で、次世代半導体材料の有力な候補物質である原子膜半導体である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の1つ、二硫化モリブデン(MoS2)中に内在するスピン情報を取り出す際の障壁高さを1/10に低減することに成功しました。

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