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【研究成果】界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6~80倍向上

掲載日:2021/10/27

 

 電子工学専攻の木本恒暢 教授、立木馨大 博士後期課程学生らのグループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥(不完全性)を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。

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