授業科目名 : 電子材料学特論

科目コード 10C813
配当学年 修士課程
開講年度・開講期 後期
曜時限 木曜2時限
講義室 A1-001
単位数 2
履修者制限
授業形態 講義
使用言語 日本語
担当教員 所属・職名・氏名 電子工学専攻 教授 木本恒暢

授業の概要・目的

主要な半導体材料の基礎物性やデバイス物理について,その基礎と最近の進展を概説する。

成績評価の方法・観点及び達成度

各トピック毎に課されるレポートにより評価する。講義の出席状況も加味する。

到達目標

先端電子材料の基礎物性について理解を深めると共に、材料物性、デバイス特性と関連する物理現象を習得する。

授業計画と内容

項目 回数 内容説明
Si半導体 3-4 代表的な半導体材料であるSiのバルク成長プロセスとこれに起因する材料物性について述べる。半導体結晶における欠陥の分類と性質、不純物ゲッタリングやSOI(Silicon on Insulator)についても概説する。
先端CMOSデバイスと材料 2-3 現在のLSIの中核を構成する微細CMOSデバイスの基本構造と性能向上の工夫を説明する。Siを中心としたCMOSデバイスへの新材料の導入についても紹介する。
高周波デバイスと材料 2-3 高周波用途に適した半導体デバイス構造と動作原理を紹介した後、用いられる半導体材料の特徴と課題について概説する。
電力用パワーデバイスと材料 2-3 電力変換用途に適した半導体デバイス構造と動作原理を紹介した後、用いられる半導体材料の特徴と課題について概説する。

教科書

なし

参考書等

なし

履修要件

固体物理の基礎、半導体工学

授業外学習(予習・復習)等

授業URL

その他(オフィスアワー等)